6月21至26日，第24届国际离子束与材料改性大会（International Conference on Ion Beam Modification of Materials，IBMM）在芬兰赫尔辛基举行。疯av
李让副教授凭借其在离子束与半导体材料研究领域的突出贡献，荣获本届 IBMM Prize，并受邀在大会上作邀请报告。本届大会由赫尔辛基大学承办，吸引了来自全球30多个国家和地区的专家学者参会，围绕离子束改性、材料科学、半导体器件及相关交叉领域的前沿进展展开深入交流与研讨。
IBMM Prize 自2006年设立以来，每两年评选一次，每届仅授予一位获奖者，旨在表彰在离子束与材料改性领域做出突出贡献的青年科学家和研究人员。该奖项重点关注相关领域的原创性研究成果、关键技术突破、学术影响力以及对学科发展的推动作用，是该领域具有重要国际影响力的青年学术荣誉之一。李让副教授从众多国际优秀青年学者中脱颖而出，成为本届 IBMM Prize 获奖者。据悉，自该奖项设立以来，亚洲地区获奖者仅有5人，李让副教授是国内第三位获此奖的在职科研人员。
历届 IBMM Prize 获奖者多为国际离子束与材料改性领域具有重要影响力的青年学者和学术骨干，包括美国核学会会士、校级杰出教授 Lin Shao，德国HZDR课题组负责人周生强教授，国家优青、国家科技创新领军人才欧欣教授等。上述获奖者在离子束材料改性、半导体材料、纳米结构调控及相关交叉领域取得了具有国际影响力的研究成果，体现了该奖项在本领域的学术认可度和国际影响力。
此次获奖不仅是对李让副教授个人学术成就的高度肯定，也体现了我院在相关学科领域的研究实力与国际影响力。疯av
将继续支持教师开展高水平科学研究和国际学术交流，推动更多原创性成果产出，为相关学科发展和国家科技创新贡献力量。
撰稿：李让
编辑：孟凡星
审核：徐岩
